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第一百八十九章:aoe伤害,最惨的米国(求订阅)


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下播后,韩元回到了居住室弄了些吃的犒劳了一下自己,丝毫不知道现实中已经逐渐开始乱套了。
事实上,当他给碳化硅晶材使用‘电热-渗透法’注入铝离子的时候,硅晶材料和芯片这方面就已经开始乱套了。
一种全新、稳定、能极少损坏碳化硅晶材中碳原子的离子注入法,引起了不少国家和研究这方面科学家的关注。
在确认这种方式有效后,这一波造成的aoe伤害范围可不小。
还有米国、岛国、风车国等有能力制造离子注入机和离子源的国家都开始有些急了。
华国其实还好,虽然国内有凯世通和中科信两家离子注入机行业的龙头企业,算得上是是世界领先。
但领先的是光伏离子注入机方面,离子渗透在光伏这方面目前还没展示出应用。
真正惨的是米国和岛国。
离子渗透法在应用方面从理论上来说可以代替米国ic离子注入机,尽管做不到全部。
但伤害性真不小。
要知道在这种方式没面世前,米国拥有近乎垄断ic离子注入机市场的应用材料。
凡事涉及到芯片制造、高科技合金镀层的,都得从他手里买。
‘电热-离子渗透法’这一枚炸弹丢下,至少在铝离子方面的离子注入,已经和他们无关了。
如果说真的能将‘电热-离子渗透法’应用起来,哪怕是一部分的应用。
那米国这一波损失的,恐怕是每年上十亿甚至几十亿米金的市场。
而更关键的,还是今天的直播。
碳化硅晶体管的成功制备,让这研究方面的科学家看到了碳化硅晶材在芯片上的应用。
如果能成功的话,那撬动的可能就不是几十亿米金的市场了,而是百亿、千亿级别。
毕竟碳化硅半导体比单晶硅在性能方面要优异很多。
如果能用碳化硅晶材取代单晶硅作为基底的话,在芯片性能方面绝对能提升不少。
所以在韩元今天的直播结束后,准确的说是碳化硅晶体管放大电流的检测成功后,各国就已经乱了。
找人的找人,研究的研究。
.......
模拟空间内,美美的饱餐一顿后,韩元例常将今天的资料记录了下来。
第一颗碳化硅晶体管的成功面世,虽然仅仅是微弱的第一步,但让他对成功制造出晶体管计算机的信心大增。
如果将晶体管计算机比作笔记本电脑,那么晶体管就相当于cpu。
其重要性无可替代。
所以韩元选择第一个研究的就是晶体管,有了运算的核心,才能保障计算器的制造。
一觉醒来,韩元接着制造碳化硅晶体管和对晶体管进行各种检测。
电压检测、达林顿管检测、极限参数检测等各种测试全部做完的时候,二级任务的时间已经过去了二十多天。
这个过程,并没有想象中的那么顺利。
尽管碳化硅晶材很优秀,但他制造晶体管的工艺和设备实在太简陋。
像在蚀刻和退火等环节都无法做到完美的控制,这也导致了制造出来的碳化硅晶体管或多或少的有着一些缺陷。
甚至在做反向击穿电压的检测时,还遭遇到了最大的问题,一百伏电压轻松的击穿第一枚晶体管的集电极,导致了电子反向流动。
这个问题迫使韩元不得不重新进行设计晶体管的集电层。
好在最后他还是找了办法解决了。
整个过程费时接近一个月,韩元才完成针对信号放大晶体管的检测,还不包括其他种类的晶体管。
像光电管,发光管,变容管,单结晶体管,微波管,整流管,稳压管这些都还没制造和进行测试的。
不过相比第一枚信号放到晶体管来说,后面的制造,就容易很多了。
毕竟测试设备和制造工艺都确定了下来,速度上会拉升好几个档次。
不过即便是这样,在信号放大晶体管测试稳定通过后,他依旧花费了接近两个多月的时间才将剩下的晶体管制造出来。
物理实验室中,已经堆放了


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