生了。

80年代底，中国开始奉行的“造不如买”的政策，一大批企业纷纷以“贸工技”为指导思想。产业抛却独立自主，自力更生的指导方针，盲目对外开放。

没有顶层设计，中国的集成电路在科研，教育以及产业方面出现了脱节，中国独立的科研和产业体系被摧毁，研发方面是单打独斗，科研成果转化成产品的微乎其微。

产业在硬件上沦为组装厂，为外资企业提供廉价劳动力；在软件上围绕国外制定的技术标准和技术体系马首是瞻，软件工程师转变为廉价的码农。

极其少数坚持独立自主路线的企业，在买办和外资的夹缝中求生存。

眼看他起朱楼，眼看他楼塌了，中国半导体在五十年代到七十年代创造的盛景成了泡沫。

覆巢之下无完卵，此时的光刻机产业又能好到哪里去？

虽然后续一直在跟进研发，但大环境的落后加上本来就与世界先进企业有差距，纵使中国在各个时间点上都有代表性成果，却终究没有在高端光刻机领域留下痕迹。

……

千禧年的醒悟：

九十年代，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，科学家和产业界一直在探讨超越193纳米的方案。

（当然这个难点最后在2002年被台积电所攻破。）

此时的中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。

这时候ASML已经开始EUV光刻机的研发工作，并于2010年研发出第一台EUV原型机，由三星、台积电、英特尔共同入股推动研发。

这时候的半导体产业突然活了过来，2000年之后，中国芯片进入了海归创业和民企崛起的时代：

中星微的邓中翰于1999年回国，中芯的张汝京于2000年回国，展讯的武平和陈大同于2001年回国，芯原的戴伟民于2002年回国，兆易的朱一明于2004年回国，他们带着丰富的经验和珍贵的火种，跳进了中国半导体行业的历史进程之中。

2002年，上海微电子装备有限公司承担了“十五”光刻机攻关项目，中电科45所把此前从事分步投影光刻机的团队迁到了上海，参与这个项目。

至2016年，上海微电子已经量产90纳米、110纳米和280纳米三种光刻机，其中性能最好的是90n刻机。目前，我国从事集成电路前道制造用光刻机的生产厂商只有上海微电子(SMEE)和中国电科(CETC)旗下的电科装备。

到这个节点，国际上已经放弃了157纳米的光源，除ASML掌握了EUV光源技术之外，其他各家使用的都是193纳米ArF光源，中国在这点上与除ASML之外的“外国”是同步的。

总结来说，中国光刻机研制起于70年代后期，初期型号为接触式或接近式光刻机，85年完成第一台分步光刻机，此后技术一直在推进，各个时间点均有代表性成果，并未出现所谓完全放弃研发的情况，但也并没有多大的起色。

……

不知有多少人会可惜曾经失去的80，90年代……